Field effect on the impact ionization rate in semiconductors
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
the impact of e-readiness on ec success in public sector in iran the impact of e-readiness on ec success in public sector in iran
acknowledge the importance of e-commerce to their countries and to survival of their businesses and in creating and encouraging an atmosphere for the wide adoption and success of e-commerce in the long term. the investment for implementing e-commerce in the public sector is one of the areas which is focused in government‘s action plan for cross-disciplinary it development and e-readiness in go...
: the effect of sericin levels (silk glue protein) on rate of in vitro maturation, fertilization and culture of sheep oocytes
هدف از آزمایش اول بررسی اثر سطوح مختلف سریسین [0 (control), 0.1, 0.5, 1.0, 2.5 %] افزوده شده به محیط , ivm بر cumulus cell expansion، بلوغ هسته و توسعه متوالی جنین، در گوسفندان نژاد سنجابی در فصل تولید مثلی می باشد. از سرگیری میوز به وسیله خارج شدن اولین پولار بادی اندازه گیری و هم چنین درصد رسیدن جنین های دو سلولی به مرحله کلیواژ و بلاستوسیت نیز به عنوان نشانه ای از میزان شایستگی توسعه اولیه ج...
Tunneling-assisted impact ionization fronts in semiconductors
We discuss a type of ionization front in layered semiconductor structures. The propagation is due to the interplay of band-to-band tunneling and impact ionization. Our numerical simulations show that the front can be triggered when an extremely sharp voltage ramp (;10 kV/ns) is applied in reverse direction to a Si p – n – n structure that is connected in series with an external load. The trigge...
متن کاملthe washback effect of discretepoint vs. integrative tests on the retention of content in knowledge tests
در این پایان نامه تاثیر دو نوع تست جزیی نگر و کلی نگر بر به یادسپاری محتوا ارزیابی شده که نتایج نشان دهندهکارایی تستهای کلی نگر بیشتر از سایر آزمونها است
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics
سال: 2000
ISSN: 0021-8979,1089-7550
DOI: 10.1063/1.371941